win7之家12月6日消息，在近日的 IEDM 2022(2022 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議)上，英特爾發(fā)布了多項(xiàng)突破性研究成果，并且還給出了最新的路線圖，強(qiáng)調(diào)該公司正保持“迅捷步伐”，而且他們不僅要維持正軌，還要加快交付時(shí)間。

按照英特爾的術(shù)語(yǔ)，后納米時(shí)代的切入點(diǎn)即為“埃米”，也就是十分之一納米，他們將低于 2 納米的工藝節(jié)點(diǎn)命名為 20A 和 18A，并且將以此首發(fā) / 首批采用 ASML 的 High NA EUV 設(shè)備(可能是 18A)。

簡(jiǎn)單來說，英特爾 20 A 工藝計(jì)劃在 2024 年上半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，而 18A 工藝將在 2024 年下半年準(zhǔn)備就緒。

此外，英特爾還確認(rèn)其即將推出的 Intel4 工藝已準(zhǔn)備好生產(chǎn)。

值得注意的是，公司提到節(jié)點(diǎn)“準(zhǔn)備生產(chǎn)”的流程與他們預(yù)計(jì)流程處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)狀態(tài)的時(shí)間線相對(duì)應(yīng)。這意味著 Intel 4 現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)狀態(tài)。

也就是說，這可能意味著下一代 Meteor Lake 不會(huì)像一些小道爆料所說的那樣推遲到 2024 年，它將在 2023 年的某個(gè)時(shí)候到來。

▲ 圖源英特爾，via：wccftech

該公司還透露，18A 工藝計(jì)劃在 2024 年 2 月進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段。

此外，英特爾還確認(rèn)其 20A 工藝將同時(shí)引入 RibbonFET 和 PowerVias 技術(shù)。

win7之家科普：RibbonFET 是一種環(huán)柵或納米晶體管結(jié)構(gòu)，有望像 FinFET 一樣延長(zhǎng)摩爾定律，而 PowerVia 則是一種后端電源傳輸技術(shù)，兩者結(jié)合的話必然會(huì)帶來相當(dāng)大的技術(shù)創(chuàng)新。

英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理 Ann B Kelleher 表示：

“摩爾定律是關(guān)于功能創(chuàng)新的整合，當(dāng)我們展望未來 10 到 20 年的時(shí)候，會(huì)有一條充滿創(chuàng)新的路途。”

當(dāng)被問及在 20A 工藝上向 RibbonFET 和 PowerVias 技術(shù)過渡的問題，以及考慮到該公司在 10nm 工藝上的失誤所帶來的潛在風(fēng)險(xiǎn)時(shí)，Ann Kelleher 表示：

“這些并不需要立即完成，但我們看到了轉(zhuǎn)移到 PowerVia 以啟用 RibbonFET 技術(shù)的顯著優(yōu)勢(shì)，.... 這一直非常成功，使我們能夠加快我們的開發(fā)工作。”